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搭載全新5G SoC芯片，采用7nm+EUV制成工藝的國(guó)產(chǎn)手機(jī)5G版重磅來(lái)襲！！

首次將5G基帶集成到SoC上，創(chuàng)新的達(dá)芬奇架構(gòu)，全新的16核GPU，使得您的手機(jī)運(yùn)行更快更自然。手機(jī)性能的快速提升，歸根結(jié)底是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)zui上游是IC設(shè)計(jì)公司與硅晶圓制造公司，IC設(shè)計(jì)公司依客戶的需求設(shè)計(jì)出電路圖，硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測(cè)廠實(shí)施封裝與測(cè)試，即大功告成！

硅片是半導(dǎo)體制造業(yè)的基礎(chǔ)材料，硅片表面極其少量的無(wú)機(jī)雜質(zhì)元素污染都可能器件的功能喪失或者可靠性變差，例如：

• 堿金屬及堿土金屬（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）污染會(huì)導(dǎo)致元件擊穿電壓降低；

• 過(guò)渡金屬與重金屬（Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等）污染可使元件的壽命縮短，或者使元件工作時(shí)的暗電流增大；

• 滲透元素（B、Al、As等）本身用于形成元件，如果是污染，則改變了元件的工作點(diǎn)，使器件產(chǎn)生工作錯(cuò)誤等；

硅片表面及處理硅片過(guò)程中所使用試劑中的無(wú)機(jī)元素監(jiān)測(cè)是硅片制造及使用過(guò)程中不可缺少的流程，也是提升元器件性能的重要方法及指標(biāo)。

賽默飛四極桿型ICP-MS

針對(duì)半導(dǎo)體硅片表面及處理硅片所使用試劑中的無(wú)機(jī)元素雜質(zhì)含量均為痕量級(jí)別，且待測(cè)元素種類多，四極桿型ICP-MS由于其檢出限低、分析速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中無(wú)機(jī)雜質(zhì)元素的分析中。賽默飛可為您提供iCAP RQ單四極桿ICP-MS及iCAP TQ三重串聯(lián)四極桿型ICP-MS。

iCAP RQ 單四極桿ICP-MS

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)無(wú)機(jī)雜質(zhì)元素檢出限量可能低至1ppt。對(duì)此，賽默飛專門(mén)推出半導(dǎo)體專用串聯(lián)四極桿型iCAP TQs ICP-MS：

iCAP TQs 三重四極桿ICP-MS

性能優(yōu)勢(shì)

• 符合人體工程學(xué)；

• 緊湊型設(shè)計(jì)，適用于與在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和氣相蝕刻系統(tǒng)集成使用；

• 自適應(yīng)化學(xué)惰性進(jìn)樣系統(tǒng)確保zui小的污染以得到可重復(fù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)；

• 穩(wěn)健性能，一次分析中采用結(jié)合熱和冷等離子體方式；

• 通過(guò)軟件流程實(shí)驗(yàn)全自動(dòng)并簡(jiǎn)化的日常分析工作；

• 易于安裝，需要的安裝尺寸小，對(duì)潔凈室和生產(chǎn)場(chǎng)地要求小；

• 標(biāo)配He, O?, H?, NH? 4路碰撞反應(yīng)氣體，能夠徹底消除ICP-MS測(cè)試過(guò)程中遇到的多原子離子干擾；標(biāo)配有機(jī)加氧裝置，可直接分析半導(dǎo)體行業(yè)遇到的有機(jī)試劑；

• 標(biāo)配干泵，降低泵的使用及維護(hù)成本；避免油泵帶來(lái)的油霧顆粒，降低潔凈間的維護(hù)成本；

• 穩(wěn)健可靠的冷焰模式，同一方法中可實(shí)現(xiàn)不同模式切換；冷、熱等離子體間切換，儀器長(zhǎng)期穩(wěn)定性依然好；

• 專門(mén)Reaction Finder功能，智能推薦反應(yīng)產(chǎn)物，簡(jiǎn)化方法開(kāi)發(fā)流程，是提升方法開(kāi)發(fā)的有效手段；Q1精確實(shí)現(xiàn)1amu的質(zhì)量篩選，能更好的降低質(zhì)譜干擾的形成；

• 獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)令操作及儀器維護(hù)更簡(jiǎn)單；

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)

硅片經(jīng)VPD處理后會(huì)以溶液的形式被收集，經(jīng)VPD掃描的硅會(huì)在處理過(guò)程中與HF反應(yīng)被除去，掃描液中硅的含量很低，對(duì)儀器沒(méi)有耐高鹽的要求，采用標(biāo)配iCAP TQs ICP-MS對(duì)樣品進(jìn)行分析，測(cè)試元素為半導(dǎo)體常規(guī)關(guān)注元素。分析方法經(jīng)過(guò)Reaction Finder的優(yōu)化，測(cè)試結(jié)果真實(shí)可靠。

為驗(yàn)證TQs ICP-MS在半導(dǎo)體硅片樣品測(cè)試中的穩(wěn)定性，對(duì)掃描液進(jìn)行加標(biāo)100ng/L，連續(xù)測(cè)試兩個(gè)小時(shí)。測(cè)試結(jié)果表明，半導(dǎo)體所關(guān)注的元素在兩個(gè)小時(shí)內(nèi)RSD值均在5% 以內(nèi)，證明儀器的穩(wěn)定性能良好。

賽默飛針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)不僅可以提供無(wú)機(jī)元素分析儀器ICP-MS，還能提供離子色譜用于陰離子分析及GC-MS用于廠務(wù)氣體中揮發(fā)性有機(jī)物的分析。除此之外，賽默飛還為客戶提供物理失效分析、電子失效分析等分析儀器。綜上賽默飛可為半導(dǎo)體企業(yè)提供完整的解決方案，助力中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)騰飛！