OLED的特性是自己發(fā)光,不像TFT LCD需要背光,因此可視度和亮度均高,其次是電壓需求低且省電效率高,加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄,構(gòu)造簡單,成本低等,被視為 21世紀(jì)最具前途的產(chǎn)品之一。 [詳情]
隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣,電源設(shè)備變換功率越來越大,電磁干擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,提高驅(qū)動耐壓等級。于是,光纖的使用也就成為了必然。 [詳情]
本文介紹UPS中的IGBT的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。 [詳情]
IGBT的一種驅(qū)動和過流保護(hù)電路的設(shè)計
本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護(hù)問題,就其工作原理進(jìn)行分析,設(shè)計出具有過流保護(hù)功能的驅(qū)動電路,并進(jìn)行了仿真研究。 [詳情]
解析:各國電子產(chǎn)品與LED照明產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
OFweek半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊,隨著LED行業(yè)的迅猛發(fā)展,我國正逐步發(fā)展成為全球LED照明產(chǎn)品主要的生產(chǎn)基地和出口基地,有大批LED照明企業(yè)將高質(zhì)量的LED產(chǎn)品輸送到世界各地,認(rèn)證開始顯現(xiàn)其重要性。下面詳細(xì)了介紹各國電子產(chǎn)品與LED照明產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。 [詳情]
LED日光燈的性能、電源、結(jié)構(gòu)和壽命(詳解)
最近以來,LED日光燈成為最早進(jìn)入室內(nèi)的LED燈具之一,因?yàn)樗鄬τ跓晒鉄魜碚f具有很多優(yōu)點(diǎn)。下面詳細(xì)介紹LED日光燈的性能、電源、結(jié)構(gòu)和壽命。 [詳情]
將多點(diǎn)觸控和觸感響應(yīng)結(jié)合起來
本文將通過Fuse概念手機(jī)進(jìn)行案例分析,簡要地描述在實(shí)現(xiàn)豐富的觸摸輸入子系統(tǒng)和觸感體驗(yàn)優(yōu)化時所遇到的設(shè)計難題及其解決方案。 [詳情]
2008年初,業(yè)主委托蘇州頤達(dá)照明設(shè)計有限公司對建筑群的原有燈光進(jìn)行了大幅度的改造,力爭打造成國內(nèi)一流、動感超強(qiáng)且可以任意編輯程序的超大不規(guī)則顯示屏。 [詳情]
數(shù)字錄像(DVR)和H.264壓縮技術(shù)在安全監(jiān)控系統(tǒng)的應(yīng)用
在需要視頻監(jiān)控和錄像的安全監(jiān)控系統(tǒng)中,模擬VCR已經(jīng)被DVR取代。安全監(jiān)控應(yīng)用中,相對于模擬VCR,DVR具有壓倒性的優(yōu)勢。而從當(dāng)前的發(fā)展趨勢看,H.264已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)DVR的首要編解碼技術(shù)。 [詳情]
近日,美的又報空調(diào)行業(yè)科技最強(qiáng)聲音,由美的自主研發(fā)、擁有完整知識產(chǎn)權(quán)的首臺太陽能空調(diào)在美的誕生,已經(jīng)通過科技成果鑒定,目前已正式形成批量生產(chǎn)。 [詳情]
LED燈相對于普通燈泡有哪些優(yōu)點(diǎn)?LED散熱怎么解決?LED燈殼散熱依據(jù)功率大小及使用場所,會有不同的考量。這些問題下文都有介紹。 [詳情]
電流對功率型白光LED光學(xué)參數(shù)的影響分析
目前,LED光學(xué)參數(shù)的測量方法在國內(nèi)外還處在探討之中,LED是一種電致發(fā)光器件,當(dāng)電子與空穴發(fā)生輻射復(fù)合時,能量以光子形式發(fā)出,所以注入電流對LED發(fā)光的光學(xué)特性有直接影響。 [詳情]
2010年12月10日消息,在用戶和業(yè)務(wù)需求、投資和運(yùn)維需求的推動下,“光進(jìn)銅退”已經(jīng)成為電信運(yùn)營商保持固網(wǎng)業(yè)務(wù)優(yōu)勢、支撐移動業(yè)務(wù)發(fā)展、迎接全業(yè)務(wù)競爭挑戰(zhàn)的重要戰(zhàn)略舉措。然而,由于銅纜網(wǎng)絡(luò)覆蓋廣、數(shù)量多,…… [詳情]
以矽基材料做為LED封裝基板技術(shù),近幾年逐漸從半導(dǎo)體業(yè)界被引進(jìn)到LED業(yè)界,而LED基板采用矽材料最大優(yōu)勢便是其優(yōu)異的導(dǎo)熱能力。 [詳情]
松下開發(fā)出使Si基板GaN功率晶體管耐壓提高5倍的技術(shù)
松下半導(dǎo)體解明了GaN功率晶體管的耐壓只取決于GaN膜耐壓的原因,并對該問題產(chǎn)生的原因——流過硅基板和GaN表面的泄漏電流進(jìn)行了抑制,從而提高了GaN功率晶體管的耐壓。結(jié)果,使GaN膜厚度達(dá)到1.9μm,耐壓達(dá)到2200V,提高至原來的5倍以上。 [詳情]