LED封裝方式是以晶粒(Die)經過打線、共晶或覆晶封裝技術與其散熱基板Submount(次黏著技術)鏈接而成LED芯片，再將芯片固定于系統(tǒng)板上鏈接成燈源模塊。 
    

    目前，LED封裝方法大致可區(qū)分為透鏡式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type)，其中透鏡的成型可以是模塑成型(Molding)或透鏡黏合成型；如圖1(a)所示，而反射杯式芯片則多由混膠、點賿、封裝成型；如圖1(b)所示。

    近年來磊晶、固晶及封裝設計逐漸成熟，LED的晶粒尺寸與結構逐年微小化，高功率單顆晶粒功率達1~3W，甚至是3W以上，當LED功率不斷提升，對于LED晶粒載版及系統(tǒng)電路版的散熱及耐熱要求，便日益嚴苛。

圖1(a）

圖1(b)

    鑒于絕緣、耐壓、散熱與耐熱等綜合考慮，陶瓷基板成為以晶粒次黏著技術的重要材料之一。其技術可分為厚膜制程(Thick film)、低溫共燒制程(LTCC)與薄膜制程(DPC)等方式制成。然而，厚膜制程與低溫共燒制程，是利用網印技術與高溫制程燒結，易產生線路粗糙、對位不精準、與收縮比例問題，若針對線路越來越精細的高功率LED產品，或是要求對位準確的共晶或覆晶制程生產的LED產品而言，厚膜與低溫共燒的陶瓷基板，己逐漸不敷使用。
 
    為此，高散熱系數薄膜陶瓷散熱基板,運用濺鍍、電／化學沉積，以及黃光微影制程而成，具備金屬線路精準、材料系統(tǒng)穩(wěn)定等特性，適用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的發(fā)展趨勢，更是解決了共晶／覆晶封裝制程對陶瓷基板金屬線路分辨率與精確度的嚴苛要求。薄膜陶瓷COB(Chip On Board)散熱基板可以符合不同照明需求。 

    當LED晶粒以陶瓷作為載板時，此LED模塊的散熱瓶頸則轉至系統(tǒng)電路板，其將熱能由LED芯片傳至散熱鰭片及大氣中，隨著LED晶粒功能的逐漸提升，材料亦逐漸由FR4轉變至金屬芯印刷電路基板(MCPCB)，但隨著高功率LED的需求進展，MCPCB材質的散熱系數(2~4W/mk)無法用于更高功率的產品，為此，陶瓷電路板(Ceramic circuit board)的需求便逐漸普及。
 
    為確保LED產品在高功率運作下的材料穩(wěn)定性與光衰穩(wěn)定性，以陶瓷作為散熱及金屬布線基板的趨勢已日漸明朗。陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用陶瓷高散熱系數特性下，節(jié)省材料使用面積以降低生產成本，成為陶瓷LED發(fā)展的重要指標。因此，近年來，以陶瓷材料COB設計整合多晶封裝與系統(tǒng)線路亦逐漸受到各封裝與系統(tǒng)廠商重視。
 
    COB在電子制造業(yè)里并不是新技術，是指直接將裸晶圓黏貼在電路板上，并將導線／焊線直接焊接在PCB的鍍金線路上，也是俗稱中的打線(Wire bonding)，再透過封膠的技術，有效的將IC制造過程中的封裝步驟在電路板上直接組裝。在LED產業(yè)中，由于現代科技產品越來越講究輕薄與高可移植性，此外，為了節(jié)省多顆LED芯片設計的系統(tǒng)板空間問題，在高功率LED系統(tǒng)需求中，便開發(fā)出直接將晶粒黏貼于系統(tǒng)板的COB技術。
 
    COB優(yōu)點在于：高成本效益、線路設計簡單、節(jié)省系統(tǒng)板空間等，但亦存在著晶粒整合亮度、色溫調和與系統(tǒng)整合的技術門坎。以25W的LED為例，傳統(tǒng)高功率25W的LED光源，須采用25顆1W的LED芯片封裝成25顆LED組件，而COB封裝是將25顆1W的LED芯片封裝在單一芯片中，因此需要的二次光學透鏡將從25片縮減為1片，有助于縮小光源面積、縮減材料、系統(tǒng)成本，進而可簡化光源系二次光學設計并節(jié)省組裝人力成本。
 
    此外，高功率COB封裝僅需單顆高功率LED即可取代多顆1瓦(含)以上LED封裝，促使產品體積更加輕薄短小。目前市面上，生產COB產品仍以使用MCPCB基板為主，然而MCPCB仍有許多散熱以及光源面積過大的問題須解決，故其根本之道，還是從散熱材料更新為最有效的解決方案。

    陶瓷COB基板有以下幾點好處：1.薄膜制程，讓基本上的線路更加精確；(2)量大降低成本；(3)可塑性高，可依合作伙伴的不同需求做。
 
    COB的發(fā)展，是簡化系統(tǒng)板的趨勢，照明燈具的實用化、亮度、散熱以及成本的控管，都是重要的關鍵因素。ICP除了提供各種薄膜散熱基板給單顆芯片封裝外，更提供了獨立發(fā)展的薄膜線路COB基板，給不同高功率用途的用戶，與其更彈性的選擇，以期待LED照明早日變的更普及化，為地球綠化盡一份心力。