據(jù)悉，臺灣一專家研究小組研發(fā)了一種能改善氮砷化銦鎵（InGaAsN）及砷化鋁鎵（AlGaAs）激光二極管性能的銻鈍化技術(shù)。

　　通過改變含氮量，銦鎵砷氮量子井為協(xié)調(diào)放射波長提供了一簡單途徑。然而，其對被需要為光覆層創(chuàng)造高折射率的鋁元素非常敏感。銦鎵砷氮鋁圖層中包含的光學(xué)腐蝕及表面粗糙度因門限電流較低而阻礙了激光二極管性能的改善。

　　銦鎵砷氮（InGaAsN）主要用作量子井，周圍被砷化鎵覆蓋。銦鎵砷氮 (InGaAsN)屬四元半導(dǎo)體化合物，是新一代半導(dǎo)體長波長光電子材料，是制備光通訊、光互聯(lián)等多種用途新一代光電子器件的理想材料。將比現(xiàn)有的商用磷化銦基材料和器件的成本更低、性能更穩(wěn)定，更有利于制備規(guī)模化半導(dǎo)體單片光子、光電子功能集成器件，市場應(yīng)用前景廣闊。隨著互聯(lián)網(wǎng)等信息產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，高速、大容量光纖通訊網(wǎng)絡(luò)的市場需求逐年成倍增長，發(fā)展適于光通訊波段的砷化鎵基新一代半導(dǎo)體材料和光子集成器件已經(jīng)成為國際學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界研發(fā)的熱點。鎵銦氮砷/鎵砷量子阱長波長探測器和激光器材料制備技術(shù)難度很大，是近年來歐、美、日等發(fā)達國家的研究重點，競爭非常激烈。