IBM研究實驗室（IBMResearch）9日宣布，IBM與伙伴格羅方德半導體（GlobalFoundriesInc.）、三星和紐約州立大學納米理工學院終于突破重大瓶頸，共同打造出全球首顆7納米芯片原型，進度超越英特爾（IntelCorp.）等競爭對手。

　　IBM半導體科技研究部副總裁MukeshKhare表示，這款測試芯片首度在7納米晶體管內加入一種叫做「硅鍺」（silicongermanium，簡稱SiGe）的材料，并采用了極紫外光（EUV）微影技術。荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASMLHoldingNV）本身研發的EUV設備一臺要價1.5億美元，相較之下他種微影系統一臺售價只有5,000萬美元。

　　ArsTechnica9日指出，7納米制程芯片至少還要等兩年才能具有商業用途，但IBM與其伙伴的突破仍具有重大意義。首先，這款芯片采用的制程技術低于10納米，還是第一款使用硅鍺的10納米以下FinFET邏輯芯片，另外也是全球第一個導入EUV技術、能有商業用途的芯片設計。

　　英特爾對14納米制程技術的校正進度已延遲約六個月，目前則在開發10納米技術，有望于2016年問世。英特爾資深主管MarkBohr最近曾表示，該公司的7納米制程應該不需要改用EUV設備，但他并未透露更多細節。

　　彭博社報導，英特爾是ASML在美國的最大客戶。INGBankNV分析師RobinvandenBroek當時在接受專訪時指出，這明顯是英特爾想要在7納米制程技術中導入EUV設備，而假如以正常的報價計算，這筆訂單的金額將高達15億歐元；也就是說，英特爾已將一筆為數不小的資金投入了7納米制程科技。denBroek還說，ASML另外兩家大客戶分別是三星與臺積電，他認為這兩家業者也會跟進導入EUV。

　　臺積電共同執行長劉德音曾在4月16日表示，臺積電已開始研發7納米制程技術，預計2017年就進入最后試產階段的風險生產(RiskProduction)。