LED開關電源設計原理及全過程如下：

     一、概論

　　開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制(PWM)控制IC和MOSFET構成。開關電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點上，反而高于開關電源，這一點稱為成本反轉點。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術也在不斷地創新，這一成本反轉點日益向低輸出電力端移動，這為開關電源提供了廣闊的發展空間。

　　電源有如人體的心臟，是所有電設備的動力。但電源卻不像心臟那樣形式單一。因為，標志電源特性的參數有功率、電源、頻率、噪聲及帶載時參數的變化等等；在同一參數要求下，又有體積、重量、形態、效率、可靠性等指標，人可按此去"塑造"和完美電源，因此電源的形式是極多的。

　　隨著電力電子技術的高速發展，電力電子設備與人們的工作、生活的關系日益密切，而電子設備都離不開可靠的電源，進入80年代計算機電源全面實現了開關電源化，率先完成計算機的電源換代，進入90年代開關電源相繼進入各種電子、電器設備領域，程控交換機、通訊、電子檢測設備電源、控制設備電源等都已廣泛地使用了開關電源，更促進了開關電源技術的迅速發展。開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關晶體管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制(PWM)控制IC和MOSFET構成。開關電源和線性電源相比，二者的成本都隨著輸出功率的增加而增長，但二者增長速率各異。線性電源成本在某一輸出功率點上，反而高于開關電源，這一成本反轉點。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術在不斷地創新，這一成本反轉點日益向低輸出電力端移動，這為開關電源提供了廣泛的發展空間。

　　一般電力要經過轉換才能符合使用的需要。轉換的例子有：交流轉換成直流，高電壓變成低電壓，大功率中取小功率等等。

　　開關電源的工作原理是：

　　1.交流電源輸入經整流濾波成直流；

　　2.通過高頻PWM(脈沖寬度調制)信號控制開關管，將那個直流加到開關變壓器初級上；

　　3.開關變壓器次級感應出高頻電壓，經整流濾波供給負載；

　　4.輸出部分通過一定的電路反饋給控制電路，控制PWM占空比，以達到穩定輸出的目的。

　　開關電源設計全過程

　　1目的

　　希望以簡短的篇幅，將公司目前設計的流程做介紹，若有介紹不當之處，請不吝指教。

　　2設計步驟：

　　2.1繪線路圖、PCBLayout.

　　2.2變壓器計算。

　　2.3零件選用。

　　2.4設計驗證。

　　3設計流程介紹(以DA-14B33為例)：

　　3.1線路圖、PCBLayout請參考資識庫中說明。

　　3.2變壓器計算：

　　變壓器是整個電源供應器的重要核心，所以變壓器的計算及驗證是很重要的，以下即就DA-14B33變壓器做介紹。

　　3.2.1決定變壓器的材質及尺寸：

　　依據變壓器計算公式

　　B(max)=鐵心飽合的磁通密度(Gauss)

　　Lp=一次側電感值(uH)

　　Ip=一次側峰值電流(A)

　　Np=一次側(主線圈)圈數

　　Ae=鐵心截面積(cm2)

　　B(max)依鐵心的材質及本身的溫度來決定，以TDKFerriteCorePC40為例，100℃時的B(max)為3900Gauss，設計時應考慮零件誤差，所以一般取3000~3500Gauss之間，若所設計的power為Adapter(有外殼)則應取3000Gauss左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做較大瓦數的Power.

　　3.2.2決定一次側濾波電容：

　　濾波電容的決定，可以決定電容器上的Vin(min)，濾波電容越大，Vin(win)越高，可以做較大瓦數的Power，但相對價格亦較高。

　　3.2.3決定變壓器線徑及線數：

　　當變壓器決定後，變壓器的Bobbin即可決定，依據Bobbin的槽寬，可決定變壓器的線徑及線數，亦可計算出線徑的電流密度，電流密度一般以6A/mm2為參考，電流密度對變壓器的設計而言，只能當做參考值，最終應以溫昇記錄為準。

　　3.2.4決定Dutycycle(工作周期)：

　　由以下公式可決定Dutycycle，Dutycycle的設計一般以50%為基準，Dutycycle若超過50%易導致振蕩的發生。

　　NS=二次側圈數

　　NP=一次側圈數

　　Vo=輸出電壓

　　VD=二極體順向電壓

　　Vin(min)=濾波電容上的谷點電壓

　　D=工作周期(Dutycycle)

　　3.2.5決定Ip值：

　　Ip=一次側峰值電流

　　Iav=一次側平均電流

　　Pout=輸出瓦數

　　效率

　　PWM震蕩頻率

　　3.2.6決定輔助電源的圈數：

　　依據變壓器的圈比關系，可決定輔助電源的圈數及電壓。

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　　3.2.7決定MOSFET及二次側二極體的Stress(應力)：

　　依據變壓器的圈比關系，可以初步計算出變壓器的應力(Stress)是否符合選用零件的規格，計算時以輸入電壓264V(電容器上為380V)為基準。

　　3.2.8其它：

　　若輸出電壓為5V以下，且必須使用TL431而非TL432時，須考慮多一組繞組提供Photocoupler及TL431使用。

　　3.2.9將所得資料代入公式中，如此可得出B(max)，若B(max)值太高或太低則參數必須重新調整。

　　3.2.10DA-14B33變壓器計算：

　　輸出瓦數13.2W(3.3V/4A)，Core=EI-28，可繞面積(槽寬)=10mm，MarginTape=？2.8mm(每邊)，剩余可繞面積=4.4mm.

　　假設fT=45KHz，Vin(min)=90V，？=0.7，P.F.=0.5(cosθ)，Lp=1600Uh

　　計算式：

　　變壓器材質及尺寸：l

　　由以上假設可知材質為PC-40，尺寸=EI-28，Ae=0.86cm2，可繞面積(槽寬)=10mm，因MarginTape使用2.8mm，所以剩余可繞面積為4.4mm.

　　假設濾波電容使用47uF/400V，Vin(min)暫定90V.

　　決定變壓器的線徑及線數：

　　假設NP使用0.32ψ的線

　　電流密度=

　　可繞圈數=

　　假設Secondary使用0.35ψ的線

　　電流密度=

　　假設使用4P，則

　　電流密度=

　　可繞圈數=

　　決定Dutylcycle：

　　假設Np=44T，Ns=2T，VD=0.5(使用schottkyDiode)

　　決定Ip值：

　　決定輔助電源的圈數：

　　假設輔助電源=12V

　　NA1=6.3圈

　　假設使用0.23ψ的線

　　可繞圈數=

　　若NA1=6Tx2P，則輔助電源=11.4V

　　決定MOSFET及二次側二極體的Stress(應力)：

　　MOSFET(Q1)=最高輸入電壓(380V)+=

　　=463.6V

　　Diode(D5)=輸出電壓(Vo)+x最高輸入電壓(380V)=

　　=20.57V

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　　Diode(D4)=

　　==41.4V

　　其它：

　　因為輸出為3.3V，而TL431的Vref值為2.5V，若再加上photocoupler上的壓降約1.2V，將使得輸出電壓無法推動Photocoupler及TL431，所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓。

　　假設NA2=4T使用0.35ψ線，則

　　可繞圈數=，所以可將NA2定為4Tx2P

　　變壓器的接線圖：

　　3.3零件選用：

　　零件位置(標注)請參考線路圖：(DA-14B33Schematic)

　　3.3.1FS1：

　　由變壓器計算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共用料2A/250V，設計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值。

　　3.3.2TR1(熱敏電阻)：

　　電源啟動的瞬間，由於C1(一次側濾波電容)短路，導致Iin電流很大，雖然時間很短暫，但亦可能對Power產生傷害，所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻，以限制開機瞬間Iin在Spec之內(115V/30A，230V/60A)，但因熱敏電阻亦會消耗功率，所以不可放太大的阻值(否則會影響效率)，一般使用SCK053(3A/5Ω)，若C1電容使用較大的值，則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數的Power上)。

　　3.3.3VDR1(突波吸收器)：

　　當雷極發生時，可能會損壞零件，進而影響Power的正常動作，所以必須在靠AC輸入端(Fuse之後)，加上突波吸收器來保護Power(一般常用07D471K)，但若有價格上的考量，可先忽略不裝。

　　3.3.4CY1，CY2(Y-Cap)：

　　Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容，若ACInput有FG(3Pin)一般使用Y2-Cap，ACInput若為2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1與Y2的差異，除了價格外(Y1較昂貴)，絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣，絕緣耐壓約為Y2的兩倍，且在電容的本體上會有"回"符號或注明Y1)，此電路因為有FG所以使用Y2-Cap，Y-Cap會影響EMI特性，一般而言越大越好，但須考慮漏電及價格問題，漏電(LeakageCurrent)必須符合安規須求(3Pin公司標準為750uAmax)。

　　3.3.5CX1(X-Cap)、RX1：

　　X-Cap為防制EMI零件，EMI可分為Conduction及Radiation兩部分，Conduction規范一般可分為：FCCPart15JClassB、CISPR22(EN55022)ClassB兩種，FCC測試頻率在450K~30MHz，CISPR22測試頻率在150K~30MHz，Conduction可在廠內以頻譜分析儀驗證，Radiation則必須到實驗室驗證，X-Cap一般對低頻段(150K~數M之間)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但價格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安規規定必須要有泄放電阻(RX1，一般為1.2MΩ1/4W)。

　　3.3.6LF1(CommonChoke)：

　　EMI防制零件，主要影響Conduction的中、低頻段，設計時必須同時考慮EMI特性及溫昇，以同樣尺寸的CommonChoke而言，線圈數愈多(相對的線徑愈細)，EMI防制效果愈好，但溫昇可能較高。

　　3.3.7BD1(整流二極體)：

　　將AC電源以全波整流的方式轉換為DC，由變壓器所計算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二極體，因為是全波整流所以耐壓只要600V即可。

　　3.3.8C1(濾波電容)：

　　由C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的Vin(min)值，電容量愈大，Vin(min)愈高但價格亦愈高，此部分可在電路中實際驗證Vin(min)是否正確，若ACInput范圍在90V~132V(Vc1電壓最高約190V)，可使用耐壓200V的電容；若ACInput范圍在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1電壓最高約380V，所以必須使用耐壓400V的電容。

　　Re：開關電方設計過祘

　　3.3.9D2(輔助電源二極體)：

　　整流二極體，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，兩者主要差異：

　　1.耐壓不同(在此處使用差異無所謂)

　　2.VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)

　　3.3.10R10(輔助電源電阻)：

　　主要用於調整PWMIC的VCC電壓，以目前使用的3843而言，設計時VCC必須大於8.4V(Min.Load時)，但為考慮輸出短路的情況，VCC電壓不可設計的太高，以免當輸出短路時不保護(或輸入瓦數過大)。

　　3.3.11C7(濾波電容)：

　　輔助電源的濾波電容，提供PWMIC較穩定的直流電壓，一般使用100uf/25V電容。

　　3.3.12Z1(Zener二極體)：

　　當回授失效時的保護電路，回授失效時輸出電壓沖高，輔助電源電壓相對提高，此時若沒有保護電路，可能會造成零件損壞，若在3843VCC與3843Pin3腳之間加一個ZenerDiode，當回授失效時ZenerDiode會崩潰，使得Pin3腳提前到達1V，以此可限制輸出電壓，達到保護零件的目的。Z1值的大小取決於輔助電源的高低，Z1的決定亦須考慮是否超過Q1的VGS耐壓值，原則上使用公司的現有料(一般使用1/2W即可)。

　　3.3.13R2(啟動電阻)：

　　提供3843第一次啟動的路徑，第一次啟動時透過R2對C7充電，以提供3843VCC所需的電壓，R2阻值較大時，turnon的時間較長，但短路時Pin瓦數較小，R2阻值較小時，turnon的時間較短，短路時Pin瓦數較大，一般使用220KΩ/2WM.O

　　3.3.14R4(LineCompensation)：

　　高、低壓補償用，使3843Pin3腳在90V/47Hz及264V/63Hz接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ1/4W之間)。

　　3.3.15R3，C6，D1(Snubber)：

　　此三個零件組成Snubber，調整Snubber的目的：1.當Q1off瞬間會有Spike產生，調整Snubber可以確保Spike不會超過Q1的耐壓值，2.調整Snubber可改善EMI.一般而言，D1使用1N4007(1A/1000V)EMI特性會較好。R3使用2WM.O.電阻，C6的耐壓值以兩端實際壓差為準(一般使用耐壓500V的陶質電容)。

　　3.3.16Q1(N-MOS)：

　　目前常使用的為3A/600V及6A/600V兩種，6A/600V的RDS(ON)較3A/600V小，所以溫昇會較低，若IDS電流未超過3A，應該先以3A/600V為考量，并以溫昇記錄來驗證，因為6A/600V的價格高於3A/600V許多，Q1的使用亦需考慮VDS是否超過額定值。

　　3.3.17R8：

　　R8的作用在保護Q1，避免Q1呈現浮接狀態。

　　3.3.18R7(Rs電阻)：

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　　3843Pin3腳電壓最高為1V，R7的大小須與R4配合，以達到高低壓平衡的目的，一般使用2WM.O.電阻，設計時先決定R7後再加上R4補償，一般將3843Pin3腳電壓設計在0.85V~0.95V之間(視瓦數而定，若瓦數較小則不能太接近1V，以免因零件誤差而頂到1V)。

　　3.3.19R5，C3(RCfilter)：

　　濾除3843Pin3腳的雜訊，R5一般使用1KΩ1/8W，C3一般使用102P/50V的陶質電容，C3若使用電容值較小者，重載可能不開機(因為3843Pin3瞬間頂到1V)；若使用電容值較大者，也許會有輕載不開機及短路Pin過大的問題。

　　3.3.20R9(Q1Gate電阻)：

　　R9電阻的大小，會影響到EMI及溫昇特性，一般而言阻值大，Q1turnon/turnoff的速度較慢，EMI特性較好，但Q1的溫昇較高、效率較低(主要是因為turnoff速度較慢)；若阻值較小，Q1turnon/turnoff的速度較快，Q1溫昇較低、效率較高，但EMI較差，一般使用51Ω-150Ω1/8W.

　　3.3.21R6，C4(控制振蕩頻率)：

　　決定3843的工作頻率，可由DataSheet得到R、C組成的工作頻率，C4一般為10nf的電容(誤差為5%)，R6使用精密電阻，以DA-14B33為例，C4使用103P/50VPE電容，R6為3.74KΩ1/8W精密電阻，振蕩頻率約為45KHz.

　　3.3.22C5：

　　功能類似RCfilter，主要功用在於使高壓輕載較不易振蕩，一般使用101P/50V陶質電容。

　　3.3.23U1(PWMIC)：

　　3843是PWMIC的一種，由PhotoCoupler(U2)回授信號控制DutyCycle的大小，Pin3腳具有限流的作用(最高電壓1V)，目前所用的3843中，有KA3843(SAMSUNG)及UC3843BN(S.T.)兩種，兩者腳位相同，但產生的振蕩頻率略有差異，UC3843BN較KA3843快了約2KHz，fT的增加會衍生出一些問題(例如：EMI問題、短路問題)，因KA3843較難買，所以新機種設計時，盡量使用UC3843BN.

　　3.3.24R1、R11、R12、C2(一次側回路增益控制)：

　　3843內部有一個ErrorAMP(誤差放大器)，R1、R11、R12、C2及ErrorAMP組成一個負回授電路，用來調整回路增益的穩定度，回路增益，調整不恰當可能會造成振蕩或輸出電壓不正確，一般C2使用立式積層電容(溫度持性較好)。

　　3.3.25U2(Photocoupler)

　　光耦合器(Photocoupler)主要將二次側的信號轉換到一次側(以電流的方式)，當二次側的TL431導通後，U2即會將二次側的電流依比例轉換到一次側，此時3843由Pin6(output)輸出off的信號(Low)來關閉Q1，使用Photocoupler的原因，是為了符合安規需求(primacytosecondary的距離至少需5.6mm)。

　　3.3.26R13(二次側回路增益控制)：

　　控制流過Photocoupler的電流，R13阻值較小時，流過Photocoupler的電流較大，U2轉換電流較大，回路增益較快(需要確認是否會造成振蕩)，R13阻值較大時，流過Photocoupler的電流較小，U2轉換電流較小，回路增益較慢，雖然較不易造成振蕩，但需注意輸出電壓是否正常。

　　3.3.27U3(TL431)、R15、R16、R18

　　調整輸出電壓的大小，，輸出電壓不可超過38V(因為TL431VKA最大為36V，若再加Photocoupler的VF值，則Vo應在38V以下較安全)，TL431的Vref為2.5V，R15及R16并聯的目的使輸出電壓能微調，且R15與R16并聯後的值不可太大(盡量在2KΩ以下)，以免造成輸出不準。

　　3.3.28R14，C9(二次側回路增益控制)：

　　控制二次側的回路增益，一般而言將電容放大會使增益變慢；電容放小會使增益變快，電阻的特性則剛好與電容相反，電阻放大增益變快；電阻放小增益變慢，至於何謂增益調整的最佳值，則可以Dynamicload來量測，即可取得一個最佳值。

　　3.3.29D4(整流二極體)：

　　因為輸出電壓為3.3V，而輸出電壓調整器(OutputVoltageRegulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V)，所以必須多增加一組繞組提供Photocoupler及TL431所需的電源，因為U2及U3所需的電流不大(約10mA左右)，二極體耐壓值100V即可，所以只需使用1N4148(0.15A/100V)。

　　3.3.30C8(濾波電容)：

　　因為U2及U3所需的電流不大，所以只要使用1u/50V即可。

　　3.3.31D5(整流二極體)：

　　輸出整流二極體，D5的使用需考慮：

　　a.電流值

　　b.二極體的耐壓值

　　以DA-14B33為例，輸出電流4A，使用10A的二極體(Schottky)應該可以，但經點溫昇驗證後發現D5溫度偏高，所以必須換為15A的二極體，因為10A的VF較15A的VF值大。耐壓部分40V經驗證後符合，因此最後使用15A/40VSchottky.

　　3.3.32C10，R17(二次側snubber)：

　　D5在截止的瞬間會有spike產生，若spike超過二極體(D5)的耐壓值，二極體會有被擊穿的危險，調整snubber可適當的減少spike的電壓值，除保護二極體外亦可改善EMI，R17一般使用1/2W的電阻，C10一般使用耐壓500V的陶質電容，snubber調整的過程(264V/63Hz)需注意R17，C10是否會過熱，應避免此種情況發生。

　　3.3.33C11，C13(濾波電容)：

　　二次側第一級濾波電容，應使用內阻較小的電容(LXZ，YXA…)，電容選擇是否洽當可依以下三點來判定：

　　a.輸出Ripple電壓是符合規格

　　b.電容溫度是否超過額定值

　　c.電容值兩端電壓是否超過額定值

　　3.3.34R19(假負載)：

　　適當的使用假負載可使線路更穩定，但假負載的阻值不可太小，否則會影響效率，使用時亦須注意是否超過電阻的額定值(一般設計只使用額定瓦數的一半)。

　　3.3.35L3，C12(LC濾波電路)：

　　LC濾波電路為第二級濾波，在不影響線路穩定的情況下，一般會將L3放大(電感量較大)，如此C12可使用較小的電容值。

　　4設計驗證：(可分為三部分)

　　a.設計階段驗證

　　b.樣品制作驗證

　　c.QE驗證

　　4.1設計階段驗證

　　設計實驗階段應該養成記錄的習慣，記錄可以驗證實驗結果是否與電氣規格相符，以下即就DA-14B33設計階段驗證做說明(驗證項目視規格而定)。

　　4.1.1電氣規格驗證：

　　4.1.1.13843PIN3腳電壓(fullload4A)：

　　90V/47Hz=0.83V

　　115V/60Hz=0.83V

　　132V/60Hz=0.83V

　　180V/60Hz=0.86V

　　230V/60Hz=0.88V

　　264V/63Hz=0.91V

　　4.1.1.2DutyCycle，fT：

　　4.1.1.3Vin(min)=100V(90V/47Hzfullload)

　　4.1.1.4Stress(264V/63Hzfullload)：

　　Q1MOSFET：

　　4.1.1.5輔助電源(開機，滿載)、短路Pinmax.：

　　4.1.1.6Static(fullload)

　　Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff

　　90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7

　　115V/60Hz18.603143.300.522813.2271.1

　　132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1

　　180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7

　　230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9

　　264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9

　　4.1.1.7FullRange負載(0.3A-4A)

　　(驗證是否有振蕩現象)

　　4.1.1.8回授失效(輸出輕載)

　　Vout=8.3Vê90V/47Hz

　　Vout=6.03Vê264V/63Hz

　　4.1.1.9O.C.P.(過電流保護)

　　90V/47Hz=7.2A

　　264V/63Hz=8.4A

　　4.1.1.10Pin(max.)

　　90V/47Hz=24.9W

　　264V/63Hz=27.1W

　　4.1.1.11Dynamictest

　　H=4A，t1=25ms，slewRate=0.8A/ms(Rise)

　　L=0.3A，t2=25ms，slewRate=0.8A/ms(Full)

　　90V/47Hz

　　264V/63Hz

　　4.1.1.12HI-POTtest：

　　HI-POTtest一般可分為兩種等級：

　　輸入為3Pin(有FG者)，HI-POTtest為1500Vac/1？minute.Y-CAP使用Y2-CAP

　　輸入為2Pin(無FG者)，HI-POTtest為3000Vac/1？minute.Y-CAP使用Y1-CAP

　　DA-14B33屬於輸入3PINHI-POTtest為1500Vac/1minute.

　　4.1.1.13Groundingtest：

　　輸入為3Pin(有FG者)，一般均要測接地阻(Groundingtest)，安規規定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100MΩ(2.5mA/3Second)。

　　4.1.1.14溫昇記錄

　　設計實驗定案後(暫定)，需針對整體溫昇及EMI做評估，若溫昇或EMI無法符合規格，則需重新實驗。溫昇記錄請參考附件，D5原來使用BYV118(10A/40VSchottkybarrier肖特基二極管)，因溫昇較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。

　　4.1.1.15EMI測試：

　　EMI測試分為二類：

　　Conduction(傳導干擾)

　　Radiation(幅射干擾)

　　前者視規范不同而有差異(FCC：450K-30MHz，CISPR22：150K-30MHz)，前者可利用廠內的頻譜分析儀驗證；後者(范圍由30M-300MHz，則因廠內無設備必須到實驗室驗證，Conduction，Radiation測試資料請參考附件).

　　4.1.1.16機構尺寸：

　　設計階段即應對機構尺寸驗證，驗證的項目包括：PCB尺寸、零件限高、零件禁置區、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸…，若設計階段無法驗證，則必須在樣品階段驗證。

　　4.1.2樣品驗證：

　　樣品制作完成後，除溫昇記錄、EMI測試外(是否需重新驗證，視情況而定)，每一臺樣品都應經過驗證(包括電氣及機構尺寸)，此階段的電氣驗證可以以ATE(Chroma)測試來完成，ATE測試必須與電氣規格相符。

　　4.1.3QE驗證：

　　QE針對工程部所提供的樣品做驗證，工程部應提供以下交件及樣品供QE驗證。