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亨通光電首創CCVD沉積技術 光纖預制棒業界領先

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所屬頻道:新聞中心

關鍵詞: 光纖預制棒,光纖,光纜

      江蘇亨通光電股份有限公司是目前國內唯一一家自主研發光纖預制棒制造設備和工藝的企業,利用首創的CCVD連續化學氣相沉積技術,成功研制及批量生產光纖預制棒,填補國內多項技術空白,先后獲得全國工商業聯合會科技進步二等獎、國家重點新產品獎、中國新材料產業新產品金獎、第十五屆中國專利優秀獎。亨通實現了大尺寸、多規格的光纖預制棒系列產品供應,目前已研發出世界最長的光棒,長度可達6米(相應拉絲光纖14000公里)。

      亨通光電光纖預制棒具有優越、可靠的性能,亨通光電可制造外徑從80毫米到200毫米的各種規格的光纖預制棒。用于拉制全波段低水峰G.652D單模光纖,以及用于FTTx建設用G.657A2彎曲不敏感單模光纖。

      通信用光纖大多數是由石英玻璃材料組成的。光纖的制造要經歷光纖預制棒制備、光纖拉絲等具體的工藝步驟。最常使用的工藝是兩步法:第一步采用四種氣相沉積工藝,即:外氣相沉積(Outside Vapour Deposition-OVD)、軸向氣相沉積(Vapour Axial Deposition-VAD)、改進的化學氣相沉積(Modified Chemical Vapour Deposition-MCVD)、等離子化學氣相沉積(Plasma Chemical Vapour Deposition-PCVD)中的任一工藝來生產光纖預制棒的芯棒;第二步是在氣相沉積獲得的芯棒上施加外包層制成大光纖預制棒。值得強調的是,光纖預制棒的光學特性主要取決于芯棒的制造技術,光纖預制棒的成本主要取決于外包技術。

      芯棒制造

      芯棒制造技術普遍采用氣相沉積工藝,如OVD、VAD、MCVD、PCVD。

      OVD工藝是1970年美國康寧公司的Kapron研發的簡捷工藝。OVD工藝的化學反應機理為火焰水解,即所需的芯玻璃組成是通過氫氧焰或甲烷焰中攜帶的氣態鹵化物(SiCl4等)產生“粉末”逐漸地一層一層沉積而獲得的。OVD工藝有沉積和燒結兩個具體工藝步驟:先按所設計的光纖折射分布要求進行多孔玻璃預制棒芯棒的沉積(預制棒生長方向是徑向由里向外),再將沉積好的預制棒芯棒進行燒結處理,除去殘留水份,以求制得一根透明無水份的光纖預制棒芯棒,OVD工藝最新的發展經歷從單噴燈沉積到多噴燈同時沉積,由一臺設備一次沉積一根棒到一臺設備一次沉積多根棒,從而大大提高了生產率,降低了成本。

      VAD工藝是1977年由日本電報電話公司的伊澤立男等人,為避免與康寧公司的OVD專利的糾紛所發明的連續工藝。VAD工藝的化學反應機理與OVD工藝相同,也是火焰水解。與OVD工藝不同的是,VAD工藝沉積獲得的預制棒的生長方向是由下向上垂直軸向生長的。燒結和沉積是在同一臺設備中不同空間同時完成的,即預制棒連續制造。VAD工藝的最新發展由上世紀70年代的芯、包同時沉積燒結,到上世紀80年代先沉積芯棒再套管的兩步法,再到上世紀90年代的粉塵外包層代替套管制成光纖預制棒。

      MCVD工藝是1974年由美國AT&T公司貝爾實驗室的Machesney等人開發的經典工藝。MCVD工藝為朗訊等公司所采用的方法。MCVD工藝是一種以氫氧焰熱源,發生在高純度石英玻璃管內進行的氣相沉積。MCVD工藝的化學反應機理為高溫氧化。MCVD工藝是由沉積和成棒兩個工藝步驟組成。沉積是獲得設計要求的光纖芯折射率分布,成棒是將巳沉積好的空心高純石英玻璃管熔縮成一根實心的光纖預制棒芯棒。現MCVD工藝采用大直徑合成石英玻璃管和外包技術,例如用火焰水解外包和等離子外包技術來制作大預制棒。這些外包技術彌補了傳統的MCVD工藝沉積速率低、幾何尺寸精度差的缺點,提高了質量、降低了成本,增強了MCVD工藝的競爭力。

         PCVD工藝是1975年由荷蘭飛利浦公司的Koenings提出的微波工藝。PCVD與MCVD的工藝相似之處是,它們都是在高純石英玻璃管內進行氣相沉積和高溫氧化反應。所不同之處是熱源和反應機理,PCVD工藝用的熱源是微波,其反應機理為微波激活氣體產生等離子使反應氣體電離,電離的反應氣體呈帶電離子。帶電離子重新結合時釋放出的熱能熔化氣態反應物形成透明的石英玻璃沉積薄層。PCVD工藝制備芯棒的工藝有兩個具體步驟,即沉積和成棒。沉積是借助低壓等離子使流進高純石英玻璃沉積管內氣態鹵化物和氧氣在大約1000℃的高溫下直接沉積成設計要求的光纖芯玻璃組成。成棒則是將沉積好的石英玻璃管移至成棒用的玻璃車床上,利用氫氧焰高溫作用將該管熔縮成實心的光纖預制棒芯棒。PCVD工藝的最新發展是采用大直徑合成石英玻璃管為沉積襯底管,沉積速率提高到了2~3g/min,沉積長度達到1.2~1.5m。

      外包層制造

      外包層制造技術主要有套管法、等離子噴涂法、火焰水解法等。外包層制造技術是光纖通信全球性高速發展應運而生的大光纖預制棒制造新技術。外包層技術發展和完善的目的是將光纖預制棒做的更粗、更長,即提高光纖生產率,降低生產成本,使光纖通信比其他介質的通信形式具有更大、更強的競爭力。外包層技術中的套管法是將氣相沉積工藝制成的芯棒置入一根作光纖外包層的高純石英玻璃管內制造大預制棒技術。等離子噴涂法是用高頻等離子焰將石英粉末熔制于氣相沉積工藝得到的芯棒上制成大預制棒的技術。火焰水解法(粉末外包)實質上就是OVD、VAD等火焰水解外沉積工藝在芯棒上的應用。

      通常,將氣相沉積法工藝和外包層技術結合制成的大預制棒直徑縮小,且保持芯包比和折射率分布恒定的操作稱為光纖拉絲。拉絲過程中要對裸光纖施加預涂覆層保護。涂覆層既可以保護光纖的機械強度、隔離外界潮濕,又可以避免外力引起光纖的微彎損耗。此外,高速拉絲還應注意光纖的充分冷卻,消除光纖中的殘余內應力,以求確保光纖的翹曲度指標最優。

    (審核編輯: 小王子)

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