隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導體材料開始備受關注。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。目前很多國家（也包括中國）都把發(fā)展第三代半導體材料及其相關器件等列為半導體重要新興技術領域，投入巨資支持發(fā)展。

近日，全球知名的半導體廠商英飛凌科技股份公司推出了氮化鎵（GaN）解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER? IC）。據(jù)悉，英飛凌產(chǎn)品的優(yōu)越性包括：它們具備更高功率密度，可實現(xiàn)更加小巧、輕便的設計，從而降低系統(tǒng)總成本和運行成本，以及減少資本支出。

CoolGaN擁有行業(yè)領先的可靠性

隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出，目前，英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料的全系列功率產(chǎn)品的公司。最新發(fā)布的CoolGaN 600 V增強型HEMT采用可靠的常閉概念，它經(jīng)專門優(yōu)化，可實現(xiàn)快速開通和關斷。它們可在開關模式電源（SMPS）中實現(xiàn)高能效和高功率密度，其優(yōu)值系數(shù)（FOM）在當前市場上的所有600 V器件中首屈一指。

CoolGaN開關的柵極電荷極低，且具有極少輸出電容，可在反向導通狀態(tài)下提供優(yōu)異的動態(tài)性能，進而大幅提高工作頻率，從而通過縮小被動元器件的總體尺寸，提高功率密度。 英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數(shù)校正（PFC）變流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可達到160 W /in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在諧振拓撲中，CoolGaN線性輸出電容可將死區(qū)時間縮短至八分之一到十分之一。

據(jù)悉，CoolGaN擁有行業(yè)領先的可靠性。在質量控制過程中，我們不僅對器件本身進行全面測試，而且對其在應用環(huán)境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至優(yōu)于最高質量標準。CoolGaN 600 V增強型HEMT可提供70 m?和190 m?的SMD封裝，確保杰出的散熱性能和低寄生效應。通過提供全系列SMD封裝產(chǎn)品，英飛凌旨在支持高頻運行的應用，如企業(yè)級超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心服務器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。氮化鎵開關管專用驅動IC（GaN EiceDRIVER IC）。

同步推出GaN EiceDRIVER柵極驅動IC

英飛凌新推出的氮化鎵開關管驅動芯片EiceDRIVERIC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔。它們經(jīng)專門研發(fā)，以確保CoolGaN開關實現(xiàn)強健且高效的運行，同時最大限度地減少工程師研發(fā)工作量，加快將產(chǎn)品推向市場。

不同于傳統(tǒng)功率MOSFET的柵極驅動IC，這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓，以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處于關閉狀態(tài)的整個持續(xù)時間內，GaNEiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩(wěn)定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響，哪怕是首脈沖，這對于SMPS實現(xiàn)強健運行至關重要 。

氮化鎵柵極驅動IC可實現(xiàn)恒定的GaNHEMT開關轉換速率，幾乎不受工作循環(huán)或開關速度影響 。這可確保運行穩(wěn)健性和很高能效，大大縮短研發(fā)周期 。它集成了電隔離 ，可在硬開關和軟開關應用中實現(xiàn)強健運行，還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護，并可根據(jù)需要在功率級與邏輯級之間提供保護。據(jù)OFweek電子工程網(wǎng)了解到，GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引腳LGA 5x5 mm封裝，1EDF5673F采用16引腳DSO 150 mil封裝，1EDS5663H采用16引腳DSO 300 mil封裝。供貨全新CoolGaN 600 V增強型HEMT現(xiàn)已開始供貨，硅基GaN EiceDRIVER IC可供預訂 。