中國上海，2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。

MOSFET產(chǎn)品圖

新產(chǎn)品是東芝首款[1]采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時能夠進行自動目視檢查，從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導通電阻有利于降低設備功耗；XPH4R10ANB擁有業(yè)界領先的[2]低導通電阻。

應用：
?汽車設備
電源裝置（DC-DC轉(zhuǎn)換器）和LED頭燈等（電機驅(qū)動、開關穩(wěn)壓器和負載開關）

特性：
?東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance（WF）封裝
?通過AEC-Q101認證
?低導通電阻：
RDS(ON)=4.1m?（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3m?（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
?采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance（WF）封裝

主要規(guī)格：
（除非另有說明，@Ta=25°C）
器件型號 XPH4R10ANB XPH6R30ANB
極性 N溝道
絕對最大額定值 漏源極電壓
VDSS
（V） 100
 漏極電流
（DC）
ID
（A） 70 45
 漏極電流
（脈沖）
IDP
（A） 210 135
 溝道溫度
Tch
（℃） 175
漏源極導通電阻
RDS(ON)最大值
（mΩ） @VGS=6V 6.2 9.5
 @VGS=10V 4.1 6.3
溝道至外殼熱阻
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
（℃/W） 0.88 1.13
封裝 SOP Advance（WF）
產(chǎn)品系列 U-MOSVIII-H U-MOSVIII-H

注釋：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同樣規(guī)格的產(chǎn)品中，截至2019年12月25日。東芝調(diào)查。

如需了解有關新產(chǎn)品的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH4R10ANB.html
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH6R30ANB.html

如需了解有關東芝車載MOSFET的更多信息，請訪問以下網(wǎng)址：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/automotive/automotive-mosfet.html

*公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

關于東芝電子元件及存儲裝置株式會社
東芝電子元件及存儲裝置株式會社，主要從事電子元器件事業(yè)和存儲產(chǎn)品事業(yè)。其中電子元器件事業(yè)包含占市場大份額的分立器件、以及業(yè)界先進的系統(tǒng)LSI。在分立半導體領域，集中力量在控制設備功耗的功率器件等產(chǎn)品。在系統(tǒng)LSI領域，通過用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、通信和電源應用領域的LSI產(chǎn)品，推動全球電子設備的發(fā)展。存儲產(chǎn)品事業(yè)主要在機械硬盤（HDD）領域，著重開發(fā)面向數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級大容量存儲產(chǎn)品。東芝通過加強電子元器件事業(yè)和存儲產(chǎn)品事業(yè)，為支持和推動智能社區(qū)和智能生活的建設提供廣泛的半導體解決方案及應用。
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