英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

“隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業部高壓轉換業務高級總監Steffen Metzger表示，“這凸顯了我們在市場中的獨特地位：英飛凌是市場上唯一一家能夠提供涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵等材料的全系列功率產品的制造商。而全新CoolSiC?系列是我們矢志成為工業SiC MOSFET開關領域頭號供應商的有力支持。”

650 V CoolSiC? MOSFET器件的額定值在27 mΩ-107 mΩ之間，既可采用典型的TO-247 3引腳封裝，也支持開關損耗更低的TO-247 4引腳封裝。與過去發布的所有CoolSiC? MOSFET產品相比，全新650V系列基于英飛凌先進的溝槽半導體技術。通過最大限度地發揮碳化硅強大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關損耗和導通損耗。此外，它們還具備最高的跨導水平（增益）、4V的閾值電壓（Vth）和短路穩健性。總而言之，溝槽技術可以在毫不折衷的情況下，在應用中實現最低的損耗，并在運行中實現最佳可靠性。

與市面上其它硅基以及碳化硅解決方案相比，650 V CoolSiC? MOSFET能夠帶來更加吸引人的優勢：更高開關頻率下更優的開關效率以及出色的可靠性。得益于與溫度相關的超低導通電阻（RDS(on)），這些器件具備出色的熱性能。此外，它們還采用了堅固耐用的體二極管，有非常低的反向恢復電荷：比最佳的超結CoolMOS? MOSFET低80%左右。其換向堅固性，更是輕松實現了98%的整體系統效率，如通過連續導通模式圖騰柱功率因素校正（PFC）。

為了簡化采用650 V CoolSiC? MOSFET的應用設計，確保器件高效運行，英飛凌還提供了專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER?柵極驅動器IC。這個解決方案（整合了CoolSiC?開關和專用的柵極驅動器IC）有助于降低系統成本和總擁有成本，以及提高能效。CoolSiC? MOSFET可與其它英飛凌EiceDRIVER?柵極驅動器系列IC無縫協作。