據報道，BAE系統公司的FAST實驗室繼續推動研發毫米波氮化鎵（GaN）半導體技術，以對關鍵的下一代雷達、電子戰和通信技術提供支持。

目前，BAE系統公司正處于與美國空軍實驗室（AFRL）簽訂的多年合作項目的第三階段，BAE將繼續開發對國防至關重要的氮化鎵技術，并為美國國防部供應商提供支持美軍作戰的途徑。

氮化鎵是一種先進的半導體材料，它能以較小的體積提供更大的頻率帶寬、更高的效率和傳輸功率，從而能為美國國防部的關鍵應用提供更強大的系統能力。氮化鎵技術滿足了美國國防部對低成本、高性能放大器技術的獨特需求。

在這個多階段項目中，第一階段的重點是將技術從美國空軍實驗室過渡到BAE系統公司的晶圓廠，第二階段是使技術成熟并擴展至6英寸晶圓，以降低每片成本。第三階段與第二階段同時進行，旨在進一步擴展該技術，并嘗試為更廣泛的業界提供技術支持，以開發下一代應用該技術的高性能集成電路。美國國防部意圖建立一個值得信賴的、基于美國的關鍵先進電子能力供應體系，而對于該專業技術和能力的開發正體現了這一點。

具體來說，第三階段內容包括一項由美國政府贊助的挑戰：利用BAE系統公司的晶圓廠及其專業知識，向來自工業界和大學的非傳統團隊開放，從而在更廣泛的業界中擴展氮化鎵設計的多樣性，并獲得更多相關經驗。這種開發能夠大大擴展氮化鎵技術的開發與利用，能夠使該關鍵技術的采用速度翻倍。

BAE系統公司FAST實驗室射頻、電子戰和先進電子技術產品線總監Chris Rappa說：“與美國空軍實驗室合作的這一氮化鎵項目正在為先進技術的開發奠定基礎，其可能是新一代戰斗機的關鍵技術之一。通過這個多年的多階段項目，以及我們自己的內部投資，我們已經看到了價值超過1500萬美元的技術和設施的更新，這將有利于我們開發出額外的功能，從而幫助實現美國國防部的目標，即創建更多值得信賴的、基于美國的下一代技術卓越中心。”

氮化鎵項目是BAE系統公司的國防電子研發組合及其開放性代工服務的一部分，并且該項目建立在BAE 最近宣布的T-MUSIC獎項以及MATRIC技術成功的基礎上。BAE系統公司在位于美國新罕布什爾州納舒亞市的微電子中心（MEC）研究和推進包括氮化鎵技術在內的世界級微電子技術。自2008年以來，該微電子中心一直是經認證的美國國防部1A類可信供應商，并為美國國防部的關鍵項目生產制造集成電路。