挪威科技大學（NTNU）研究小組開發(fā)了一種使用半導體納米線材料制造超高效率太陽能電池的方法。如將其用于傳統(tǒng)的硅基太陽能電池，這一方法有望以低成本將當今硅太陽能電池的效率提高一倍。該研究論文發(fā)表在美國化學學會期刊《ACS光子學》上。

新技術主要開發(fā)者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新方法以非常有效的方式，利用砷化鎵材料以及納米結構完成，因此可以僅使用常用材料的很小一部分，就提高太陽能電池的效率。

砷化鎵因其非凡的光吸收和電氣特性而成為制造高效太陽能電池的最佳材料，通常用于制造太空太陽能電池板。然而，高質量砷化鎵太陽能電池組件的制造成本相當高。近年來人們意識到，與標準平面太陽能電池相比，納米線結構可潛在地提高太陽能電池的效率，所用的材料卻更少。

NTNU研究人員黑格·威曼稱，團隊找到了一種新方法，通過在納米線結構中使用砷化鎵，制造出效率比其他任何太陽能電池高10倍以上的超高功率太陽能電池。

砷化鎵太陽能電池通常生長在厚且昂貴的砷化鎵基板上，幾乎沒有降低成本的空間。新方法則在廉價的硅平臺上使用垂直站立的半導體納米線陣列結構來生長納米線。威曼教授解釋說，最具成本效益和效率的解決方案是生長雙串聯(lián)電池，頂部的砷化鎵納米線電池生長在底部的硅電池上，從而避免使用昂貴的砷化鎵襯底。

研究人員使用分子束外延的方法來生長納米線，通過適當?shù)耐顿Y和工業(yè)規(guī)模的研發(fā)，這項技術可具有直接成本效益。研究人員表示，將該產(chǎn)品集成在硅電池之上，可將太陽能電池效率提高到40%，與當今商用硅太陽能電池相比，這意味著效率翻了一番。利用新方法進行調整，使納米線在不同的基板上生長，還可能為許多其他應用打開大門。

研究人員表示，他們正探索在石墨烯等原子級的二維基板上生長這種類型的輕量級納米線結構。在自供電無人機、微型衛(wèi)星和廣大其他空間應用上，其都將擁有巨大潛力。