近日，長電科技在互動平臺表示，公司已可以實現(xiàn)4nm手機芯片封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝，在先進封裝技術方面再度實現(xiàn)突破。

去年7月，長電科技發(fā)布XDFOI多維先進封裝技術，該技術能夠為高密度異構集成提供全系列解決方案，也為此次突破4nm先進工藝制程封裝技術打下基礎。

據(jù)了解，諸如4nm等先進工藝制程芯片，在封測過程中往往面臨連接、散熱等挑戰(zhàn)。因此，在先進制程芯片的封裝中，多采用多維異構封裝技術。長電科技介紹，相比于傳統(tǒng)的芯片堆疊技術，多維異構封裝的優(yōu)勢是可以通過導入中介層及其多維結合，來實現(xiàn)更高密度的芯片封裝，同時多維異構封裝能夠通過中介層優(yōu)化組合不同密度的布線和互聯(lián)達到性能和成本的有效平衡。

此前，長電科技首席技術長李春興曾公開表示：“摩爾定律前進趨緩，而信息技術的高速發(fā)展和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速普及激發(fā)了大量的多樣化算力需求，因此，高效提高芯片內(nèi)IO密度和算力密度的異構集成技術，被視為先進封裝技術發(fā)展的新機遇。”

如今，單純的依靠尺寸縮小使得芯片在成本、功耗和性能方面獲得提升，變得越來越難，后摩爾時代即將來臨，而先進封裝技術被視為后摩爾時代顛覆性技術之一。Yole數(shù)據(jù)顯示，去年全球先進封裝市場總營收達321億美元，預計到2027年復合年均增長率將達到10%。