《實施意見》指出杭州市未來五大發(fā)展目標，分別為產(chǎn)業(yè)能級倍增、空間布局合理、新能力提升、平臺服務(wù)強化、產(chǎn)業(yè)風(fēng)險可控。

產(chǎn)業(yè)能級倍增。打造長三角集成電路核心城市，會同寧波市、紹興市、嘉興市協(xié)同打造環(huán)杭州灣集成電路核心產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。到2025年，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模實現(xiàn)800億元、沖刺1000億元，年均增長20%；培育營收百億元企業(yè)1—2家、50億元企業(yè)3家以上、10億元企業(yè)10家以上；在設(shè)計制造、化合物半導(dǎo)體、半導(dǎo)體核心材料、關(guān)鍵設(shè)備及零部件等領(lǐng)域，培育一批“專精特新”中小企業(yè)。

空間布局合理。打造“一核一廊多點”空間格局。“一核”即濱江創(chuàng)新核，強化國家集成電路設(shè)計杭州產(chǎn)業(yè)化基地和杭州國家“芯火”雙創(chuàng)基地作用，打造高端芯片產(chǎn)業(yè)優(yōu)質(zhì)生態(tài)。“一廊”即城西科創(chuàng)大走廊，充分發(fā)揮大走廊體制優(yōu)勢，會同拱墅、臨平等地，在高端芯片、核心材料、關(guān)鍵設(shè)備、支撐軟件等領(lǐng)域形成一批重大創(chuàng)新成果。“多點”即以錢塘區(qū)、蕭山區(qū)、富陽區(qū)、桐廬縣、余杭區(qū)為重點，引培重大制造產(chǎn)線，推進重大項目建設(shè)，打造國家級特色工藝半導(dǎo)體制造基地，爭創(chuàng)省級萬畝千億產(chǎn)業(yè)平臺。

創(chuàng)新能力提升。到2025年，在人工智能芯片、視覺處理芯片、服務(wù)器芯片、車規(guī)級芯片、量子計算芯片、類腦計算芯片、化合物半導(dǎo)體等前沿領(lǐng)域形成一批創(chuàng)新成果，集成電路重點企業(yè)研發(fā)費用占營業(yè)收入比超5%。

平臺服務(wù)強化。培育集成電路集群促進機構(gòu)，加強平臺服務(wù)功能，支持龍頭企業(yè)創(chuàng)建高端芯片、特色工藝、化合物半導(dǎo)體等技術(shù)研發(fā)中心，每年新增企業(yè)研發(fā)機構(gòu)5家（含）以上。

產(chǎn)業(yè)風(fēng)險可控。落實國家集成電路重大項目行業(yè)指導(dǎo)制度。規(guī)范市域項目布局，集中資源支持高端項目，避免重復(fù)建設(shè)一般項目。壓實重大項目市場主體責(zé)任，嚴格落實國家動態(tài)監(jiān)管要求，加強項目全生命周期管理。

《實施意見》明確了五項重點任務(wù)，包括實施高端設(shè)計引領(lǐng)行動、實施特色制造提升行動、實施特色制造提升行動、實施平臺能級躍升行動、實施長三角協(xié)同攻關(guān)行動。

實施高端設(shè)計引領(lǐng)行動。推進集成電路高端芯片研發(fā)計劃和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新項目，大力發(fā)展高端模擬芯片和數(shù)模混合芯片。以濱江區(qū)、城西科創(chuàng)大走廊、臨平區(qū)為重點，提升發(fā)展射頻傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅(qū)動、電源管理、RISC-V、物聯(lián)網(wǎng)智能硬件、車規(guī)級、FBAR濾波器、存算一體等新型專用芯片；創(chuàng)新發(fā)展嵌入式系統(tǒng)、存儲器、處理器、服務(wù)器等高端通用芯片；培育發(fā)展類腦計算、邊緣計算、量子計算、柔性電子、化合物半導(dǎo)體等前沿技術(shù)產(chǎn)品。

實施特色制造提升行動。構(gòu)建特色工藝芯片制造產(chǎn)線，培育百億級鏈主企業(yè)。支持采取CMOS、MOSFET等工藝技術(shù)，發(fā)展IGBT、智能傳感器、MEMS、FinFET、半導(dǎo)體激光器、光電器件等產(chǎn)品。支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鋁等化合物半導(dǎo)體項目建設(shè)。以錢塘區(qū)、蕭山區(qū)、富陽區(qū)、桐廬縣、余杭區(qū)為重點，支持成熟制程成套工藝芯片制造產(chǎn)線項目。支持城西科創(chuàng)大走廊規(guī)劃建設(shè)高端存儲重大項目。

實施關(guān)鍵材料設(shè)備攻關(guān)行動。以濱江區(qū)、錢塘區(qū)、富陽區(qū)、臨安區(qū)、蕭山區(qū)、余杭區(qū)、臨平區(qū)、建德市為重點，支持大尺寸硅片等關(guān)鍵材料的研發(fā)攻關(guān)；提升光刻膠、高純化學(xué)試劑、電子氣體、功能高分子材料等的自給率和本地化配套率；提高電路測試、分選、超潔凈流控系統(tǒng)、半導(dǎo)體外延、化學(xué)機械平坦化拋光等設(shè)備的研制能力，突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)。

實施平臺能級躍升行動。提升杭州國家“芯火”雙創(chuàng)基地、浙江省集成電路創(chuàng)新中心、錢塘芯谷、鎵谷射頻產(chǎn)業(yè)園、臨安云制造小鎮(zhèn)、杭州集成電路測試服務(wù)中心等平臺的運營服務(wù)水平，促進創(chuàng)新基地、研發(fā)平臺和產(chǎn)業(yè)基地的聯(lián)動發(fā)展。依托骨干企業(yè)、科研院所構(gòu)建中小企業(yè)孵化平臺，為初創(chuàng)企業(yè)提供技術(shù)開發(fā)、信貸融資、市場推廣、法律訴訟、知識產(chǎn)權(quán)等指導(dǎo)服務(wù)。

實施長三角協(xié)同攻關(guān)行動。探索長三角協(xié)同攻關(guān)“揭榜掛帥”機制，推動長三角區(qū)域芯片、軟件和終端企業(yè)多方聯(lián)動，圍繞終端系統(tǒng)需求部署開展協(xié)同攻關(guān)，構(gòu)建自主可控IP核布局。打造長三角“芯機聯(lián)動”對接平臺，支撐重大應(yīng)用場景的開發(fā)。

在政策措施方面，《實施意見》中指出，要組織集成電路領(lǐng)域重大科技攻關(guān)。圍繞集成電路核心器件、高端芯片、關(guān)鍵材料、核心設(shè)備、EDA工具等，開展市級重大科技攻關(guān)。鼓勵企業(yè)牽頭承擔(dān)國家、省技術(shù)攻關(guān)任務(wù)，對獲批國家、省重大項目的，按照有關(guān)政策給予支持。鼓勵企業(yè)申報“中國芯”等行業(yè)獎項。

要加大首次流片、關(guān)鍵材料、核心設(shè)備和EDA工具的支持。對重點支持領(lǐng)域的高端芯片產(chǎn)品，首次流片費用1000萬元以上的，按照不超過其流片費用的15%給予補助，最高補助2000萬元；對集成電路關(guān)鍵材料、核心設(shè)備等自主研發(fā)投入5000萬元以上并實現(xiàn)實際銷售的，按照不超過其研發(fā)投入的15%給予補助，最高補助5000萬元；對開展EDA工具技術(shù)攻關(guān)，自主研發(fā)投入1000萬元以上并實現(xiàn)實際銷售的，按照不超過其自主研發(fā)投入的15%給予補助，最高補助2000萬元。

要支持公共平臺建設(shè)。對提供EDA工具和IP核、設(shè)計解決方案、先進工藝流片、先進封測服務(wù)、測試驗證等設(shè)備，用于高端芯片支撐服務(wù)的集成電路公共技術(shù)平臺，其實際建設(shè)投入在5億元以上的，完工后按投資額的6%給予補助，最高補助5000萬元。對公共服務(wù)平臺（機構(gòu)）按其服務(wù)中小企業(yè)收入的10%給予補助，最高補助1000萬元。支持本市集成電路產(chǎn)業(yè)平臺服務(wù)長三角企業(yè)技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)合作。