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松下開發出使Si基板GaN功率晶體管耐壓提高5倍的技術
松下半導體解明了GaN功率晶體管的耐壓只取決于GaN膜耐壓的原因，并對該問題產生的原因——流過硅基板和GaN表面的泄漏電流進行了抑制，從而提高了GaN功率晶體管的耐壓。結果，使GaN膜厚度達到1.9μm，耐壓達到2200V，提高至原來的5倍以上。 [詳情]
發表于2011-11-26 13:04:00
供稿：智匯小新
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飛利浦推出OLED制作新技術 薄膜覆蓋減少耗材
近日，據相關媒體報道，Aachen Fraunhofer學院的科學家為飛利浦研制了一種最新的OLED制作方法。新方法的使用將有效的減少原材料的浪費。 [詳情]
發表于2011-11-19 00:00:00
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